Авторизация
0
Каталог
Поиск по категории
Поиск по производителю
О компании
Покупателю
Как заказать
Доставка и оплата
Возврат и обмен
Поддержка
Частые вопросы
Задать вопрос
Контакты
Каталог
Поиск по категории
Поиск по производителю
О компании
Как заказать
Доставка и оплата
Возврат и обмен
Частые вопросы
Задать вопрос
Контакты
Авторизация
Помощь
Курс ЦБ на
01.05.2024
$91,78
€98,03
0
Главная
Каталог
Diodes, Transistors and Thyristors
FET Transistors
MOSFETs
MOSFETs
Фильтр
Производитель
ON Semiconductor
Infineon Technologies
STMicroelectronics
Nexperia
Diodes Zetex
Vishay
Microchip
Wolfspeed
Micro Commercial Components
Toshiba
Taiwan Semiconductor
Littelfuse
Texas Instruments
Ixys Corporation
Alpha & Omega Semiconductor
Semelab (TT electronics)
Optek Technology (TT electronics)
Cree
Microsemi
International Rectifier HiRel Products
Rectron
Panasonic
Diotec Semiconductor
MagnaChip Semiconductor
Central Semiconductor
NXP Semiconductors
Allegro MicroSystems
Comchip Technology
Good-Ark
MaxLinear, Inc.
Rohm Semiconductor
Solitron
GeneSiC Semiconductor
Intersil
NTE Electronics, Inc.
Adafruit
International Rectifier
SparkFun Electronics
Efficient Power Conversion
GaN Systems Inc
Сбросить
Channel
Mode
Enhancement
Сбросить
Channel
Type
N
N|P
P
Сбросить
Number of Elements per
Chip
1
2
Сбросить
Maximum Drain Source Voltage
(V)
20
150
200
250
100
60
55
30
75
500
40
105
600
800
900
1000
300
650
80
400
Сбросить
Maximum Gate Source Voltage
(V)
В±12
В±12@N Channel|В±8@P Channel
В±20
В±30
В±16
В±25
20
Сбросить
Maximum Continuous Drain Current
(A)
0.6
0.6@N Channel|0.35@P Channel
8
62
50
12
9
14
18
2.7
3.4
75
7.3@N Channel|5.3@P Channel
11
76
2.8
80
9.9
140
17
20
313
25.5
23
5.9
40
43
35
6
277
5.8
3.9
5.5
38
20.6
90
242
53
24
47
20.2
22
3.5
4
77
16
3
7.4
7.3
7.5
31
6.3
4.5
70
52.4
2.6
52
25
0.18
55
5
5.4
19.4
33
10.8
0.5@N Channel|0.36@P Channel
17.2
15.6
33.5
164
43.5
Сбросить
Maximum Drain Source Resistance
(mOhm)
300@4.5V
1200@4.5V@P Channel|700@4.5V@N Channel
16@10V
27@10V
42.5@10V
9@10V
6@10V
5@10V
92@10V
105@10V
7@10V
29@10V@N Channel|58@10V@P Channel
10.5@10V
8.4@10V
120@10V
13.5@10V
10@10V
75@10V
38.2@10V
260@10V
2@10V
110@10V
2.7@10V
4900@10V
33@10V
70@10V
42@10V
98@10V
850@10V
2.2@10V
2000@10V
52@10V
1200@10V
2500@10V
1450@10V
85@10V
190@10V
385@10V
2.35@10V
540@10V
135@10V
650@10V
200@10V
199@10V
165@10V
3100@10V
180@5V
41@10V
115@10V
380@10V
36@10V
2300@10V
4800@10V
73@10V
150@10V
1000@10V
690@10V
220@10V
1900@10V
1500@10V
530@10V
800@10V
280@10V
21@10V
2250@10V
72@10V
22@10V
126@10V
4500@10V
26@10V
1400@10V
1950@10V
3.8@10V
299@10V
1700@10V@N Channel|4000@10V@P Channel
60@10V
270@10V
4.7@10V
39@10V
Сбросить
Typical Gate Charge @ Vgs
(nC)
0.8@4.5V
8@4.5V@N Channel|1@4.5V@P Channel
82@10V
76@10V
78@10V
84@10V
41@10V
104@10V
61@10V
2.5@4.5V
26@10V
220@20V
22@10V@N Channel|23@10V@P Channel
28@10V
73@10V
11.2@10V
56@10V
22@10V
220@10V
31@10V
20(Max)@10V
23@10V
50@10V
206@10V
215@10V
18@10V
85@10V
144@20V|77@10V
139@10V
345@10V|32.5@2V
46.5@10V
30@5V
12.8@10V
21@10V
53@10V
60@10V
150@10V
30@10V
86@10V
48@10V
90@10V
210@10V
57@10V
155@10V
45@10V
40@5V
11@10V
285@10V
4.8@5V
9@10V
32@10V
218@10V
13@10V
72@10V
29@10V
19@10V
49@10V
35@10V
10@10V
12@10V
40@10V
24.5@5V
165@10V
0.34@4.5V
75@10V
215@10V|400@20V
96@10V
38@10V
27.4@10V
55@5V
0.28@4.5V
9.5@5V
160@10V
Сбросить
Maximum Power Dissipation
(mW)
625
310000
260000
150000
242000
245000
1250
2000
325000
2500
135000
125000
65000
140000
115000
375000
45000
33800
250000
333000
3130
300000
180000
85000
280000
230000
312500
28400
306000
41000
50000
158000
225000
312000
39000
214000
29800
42000
62000
51000
290000
417000
208000
460000
205000
110000
28000
592000
30000
38500
255000
543000
56000
107000
298000
171000
100000
78000
3750
36000
481000
216000
300
73000
500000
32100
1000
43000
Сбросить
Typical Rise Time
(ns)
8
8@N Channel|13@P Channel
30
284
252
39
85
22
160
6.3
10
118
8.9@N Channel|13@P Channel
79
48
16
110
77
940
54
34
17
120
62
270
24
56
580
53
130
45
470
65
95
11
360
8.7
71
100
230
250
210
440
16.7
55
21
50
90
19
150
43.5
15
80
60.5
280
20
98
380
6.7
38
105
5
46
151
190
70
265
144
195
9.1
520
7.9
165
Сбросить
Minimum Operating Temperature
(В°C)
-55
Сбросить
Maximum Operating Temperature
(В°C)
150
175
Сбросить
Maximum Gate Threshold Voltage
(V)
4
2.5
1(Min)
3.7
4.5
5
3.8
3.5
2
1.5
3
Сбросить
EU RoHS
Compliant
Compliant with Exemption
Сбросить
ECCN (US)
EAR99
Сбросить
Part Status
Active
NRND
Obsolete
LTB
Сбросить
HTS
8541.29.00.95
8542.39.00.01
8541290095
8541.10.00.80
Сбросить
Automotive
No
Yes
Сбросить
PPAP
No
Unknown
Yes
Сбросить
Category
Power MOSFET
Small Signal
Сбросить
Configuration
Single
Dual
Dual Dual Drain
Сбросить
Typical Input Capacitance @ Vds
(pF)
60@10V
60@10V@N Channel|100@10V@P Channel
5870@25V
5435@25V
5470@25V
6000@25V
2880@25V
6625@15V
3900@25V
290@25V
690@25V
4000@25V
650@25V@N Channel|710@25V@P Channel
1840@25V
4020@25V
770@25V
3070@50V
1350@25V
6100@25V
1874@25V
370@25V
2550@25V
16100@30V
1900@25V
15000@25V
510@25V
1670@25V
3100@25V
2730@25V
4990@25V
990@100V
18600@25V
1250@25V
415@25V
1010@25V
2475@25V
2600@25V
2350@100V
2500@25V
930@100V
10350@37.5V
1450@25V
3170@25V
1760@25V
3500@25V
5900@25V
2220@25V
5800@25V
1950@100V
520@25V
1310@25V
485@25V
10300@100V
270@25V
365@25V
1495@25V
5150@25V
9310@100V
1360@25V
543@25V
2810@100V
1100@25V
590@25V
2456@25V
965@25V
2400@25V
1600@25V
450@25V
330@25V
360@25V
1148@25V
790@25V
700@25V
440@100V
6510@100V
1180@25V
2520@100V
32@10V
2100@25V
480@25V
7690@25V
1200@25V
1220@25V
1150@25V
5500@25V
6400@25V
1130@100V
3000@25V
25@25V
830@25V
2240@25V
Сбросить
Typical Fall Time
(ns)
2.4
2.4@N Channel|1@P Channel
17
162
154
46
45
12.1
29
4.2
22
26
17@N Channel|32@P Channel
32
39
19
96
25
360
27
7
60
42
120
17.9
165
34
73
4.5
290
20
30
44
80
54
160
10.2
56
47
170
90
155
75
5
250
4
37
15
85
40
38
6
35
64.5
115
70
21
64
55
145
8.7
65
140
48
107
50
110
10
370
11.6
105
210
Сбросить
Typical Turn-Off Delay Time
(ns)
8
8@N Channel|8@P Channel
39
103
112
96
26
27.1
28
6.8
43
42
26@N Channel|34@P Channel
32
51
30
350
19
24
100
80
75
35
120
47
105
40
435
20
70
36
122
118
62
36.9
111
22
175
140
200
520
64
49
46
27
320
31
65
37
235
55
22.5
73
48
81
125
119
93
60
68
34
110
50
82
170
10.6
135
160
Сбросить
Typical Turn-On Delay Time
(ns)
6
6@N Channel|6@P Channel
16
77
80
30
12
20.3
5.4
14
13@P Channel|8.1@N Channel
8
11
9
75
4.9
15
45
74
32
23
70
13
34
43
17
26
50
53
25
12.7
41
28
40
185
20
140
16.9
19
35
22
16.5
18
21
5
13.6
5.5
10
Сбросить
Packaging
Tape and Reel
Tube
Сбросить
Supplier Package
SOT-523FL
SOT-563F
D2PAK
TO-220
SOT-23
SOIC
DPAK
TO-220AB
TO-3P
TO-220FP
I2PAK
TO-220F
IPAK
TO-247
TO-264
SC-70
SOT-563
Сбросить
Pin
Count
3
6
8
Сбросить
Standard Package Name
SOT
TO-263
TO-220
SOP
TO-252
TO-3P
TO-262
TO-251
TO-247
Сбросить
Mounting
Surface Mount
Through Hole
Сбросить
Package Height
0.78(Max)
0.6(Max)
4.83(Max)
9.4(Max)
1.02(Max)
1.5(Max)
2.39(Max)
9.02(Max)
18.9(Max)
15.87
8.79(Max)
9.2
4.6(Max)
15.7(Max)
6.1
20.57
26
2.3
6.3(Max)
1(Max)
0.6
Сбросить
Package Length
1.7(Max)
10.67(Max)
3.04(Max)
5(Max)
6.73(Max)
16.2(Max)
10.16
10.36(Max)
9.9
10.4(Max)
10.3(Max)
10.1(Max)
6.6
15.62
20
6.5
6.8(Max)
2.2(Max)
1.6
Сбросить
Package Width
0.98(Max)
1.3(Max)
9.65(Max)
4.7(Max)
1.4(Max)
4(Max)
6.22(Max)
4.83(Max)
5(Max)
4.7
4.67(Max)
4.5
9.35(Max)
4.6(Max)
2.3
5
6.22
2.5(Max)
1.35(Max)
1.2
Сбросить
PCB changed
3
6
2
8
Сбросить
Lead Shape
Flat
Gull-wing
Through Hole
Сбросить
Process
Technology
TMOS
PowerTrench
HEXFET
UltraFET
DMOS
UniFET
SuperFET
SuperFET II
SuperMESH
SupreMOS
UniFET II
Сбросить
SVHC
Yes
Сбросить
SVHC Exceeds Threshold
Yes
Сбросить
Typical Gate Charge @ 10V
(nC)
82
76
78
84
41
104
61
26
125
23@P Channel|22@N Channel
28
73
11.2
56
22
220
31
20(Max)
23
50
206
215
18
85
77
139
345
46.5
12.8
21
53
60
150
30
86
48
90
210
57
155
45
11
285
9
32
218
13
72
29
19
49
35
10
12
40
165
75
96
38
27.4
Сбросить
Supplier Temperature
Grade
Automotive
Commercial
Сбросить
Tab
Tab
Сбросить
Maximum Gate Source Leakage Current
(nA)
100
10000
100000
3500
50
10
Сбросить
Maximum IDSS
(uA)
1
20
25
10
0.01
Сбросить
Operating Junction Temperature
(В°C)
-55 to 175
-55 to 150
Сбросить
Typical Gate to Drain Charge
(nC)
15
1.3
8.4
58
114
7.6(Max)
9.2
25
18.6
16
19
12
14.5
Сбросить
Typical Gate to Source Charge
(nC)
24
0.7
3
14
39
5.3(Max)
3.6
8.5
6.8
29
15
4.5
6
Сбросить
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
(pF)
270@25V
21@25V
450@25V
420@25V
9.5@25V
26@25V
95@25V
230@25V
24@25V
12@25V
90@25V
Сбросить
Minimum Gate Threshold Voltage
(V)
2
1
3
Сбросить
Typical Output Capacitance
(pF)
750
37
210
1450
2000
140
70
130
200
800
351
105
445
Сбросить
Typical Reverse Recovery Charge
(nC)
13
85
730
120
1500
5880000
1550
6500
3400
125
Сбросить
Maximum Positive Gate Source Voltage
(V)
20
16
25
30
Сбросить
Typical Gate Plateau Voltage
(V)
5.9
3.5
6
3.2
6.4
5
4.1
Сбросить
Maximum Diode Forward Voltage
(V)
1.25
1.3
1.5
5
1.2
1.6
1.4
Сбросить
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25В°C
(A)
11
560
10.8
23.2
63
88
30
210
Сбросить
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB
(В°C/W)
100
Сбросить
Typical Reverse Recovery Time
(ns)
14
140
270
840
224
472
365
65
Сбросить
Material
Si
Сбросить
Typical Gate Threshold Voltage
(V)
3.75
Сбросить
Очистить все
Применить фильтр
Фильтр
Найдено 170 товаров
Hitachi
2SK559
Пр-во:
Hitachi
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
2SK1623L
Пр-во:
Hitachi
0.12 ohm POWER FET
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
2SK400
Пр-во:
Hitachi
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
BB101CAU
Пр-во:
Hitachi
Uhf Band Si N-channel Rf Small Signal Fet
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
2SJ113
Пр-во:
Hitachi
Silicon P-channel Mos Fet
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
2SK1968
Пр-во:
Hitachi
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
2SK1400
Пр-во:
Hitachi
Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
2SK551
Пр-во:
Hitachi
Transistor | Mosfet | N-channel | 120V Vbrdss | 10A Id | TO-220
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
2SK1949L
Пр-во:
Hitachi
0.2 ohm POWER FET
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
Hitachi
2SK970
Пр-во:
Hitachi
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
По данному товару предложений не найдено. Оставьте заявку, и мы вам перезвоним.
Отправить запрос
У вас возникла ошибка?
Напишите нам, и мы постараемся оперативно решить проблему!
Сообщить об ошибке
Написать менеджеру online
Запрос товара
Нужен товар, которого нет в каталоге или определенные условия поставки? Свяжитесь с нами.
Отправить запрос
Условия доставки и оплаты
Назад
1
2
3
...
15
16
17
Вперед
Товаров на странице
10
20
30
Вы находитесь на новой версии нашего сайта.
Чтобы воспользоваться старой, перейдите по ссылке:
old.e-streloy.ru